收藏本站
NXP Semiconductors
PESD3V3S4UF; PESD5V0S4UF
Unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
10 4
P PP
(W)
10 3
006aab146
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
001aaa633
0.8
10 2
0.4
10
1
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
Fig 3. Peak pulse power as a function of exponential
pulse duration; typical values
Fig 4. Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical values
120
006aab147
10
006aab148
C d
(pF)
I R
I R(25 ° C)
80
(1)
1
(2)
40
0
0
2
4
6
V R (V)
8
10 ? 1
? 75
? 25
25
75
125
T j ( ° C)
175
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) PESD3V3S4UF
(2) PESD5V0S4UF
Fig 5. Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
PESD3V3S4UF_PESD5V0S4UF_1
Fig 6. Relative variation of reverse current as a
function of junction temperature; typical values
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 17 January 2008
5 of 13
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
PESD5V0S5UD,115 DIODE ARRAY ESD 5V 6-TSOP
PESD5V0U1BB,115 DIODE ULOW ESD PROTECTION SOD523
PESD5V0U1BLD,315 DIODE ESD PROECT ULOW SOD-882
PESD5V0U1UA,115 DIODE ESD PROT UNI 5V SOD323-2
PESD5V0U2BM,315 DIODE ESD PROTECT BIDIR SOT-883
PESD5V0U2BT,215 DIODE ULOW ESD PROTECTION SOT-23
PESD5V0U4BF,115 DIODE ESD PROTECT VLOW 6-XSON
PESD5V0U5BV,115 DIODE ARRAY ESD BI-DIR SS MINI6
相关代理商/技术参数
PESD5V0S5UD 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS 0.2UA 3.3V SSOT-6
PESD5V0S5UD T/R 功能描述:TVS二极管阵列 5V 5X ESD ARRAY RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
PESD5V0S5UD,115 功能描述:TVS二极管阵列 5V 5X ESD ARRAY RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
PESD5V0S5UD115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS TSOP-6
PESD5V0U1BA 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS 0.2UA 5V SOD-323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, 0.2UA, 5V, SOD-323
PESD5V0U1BA T/R 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
PESD5V0U1BA,115 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
PESD5V0U1BA115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS 5V SOD-323